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ऑप्टिकल कोटिंग और वैक्यूम कोटिंग के बीच क्या अंतर है?

2021-05-31 18:29:49

वैचारिक अंतर

1. ऑप्टिकल कोटिंग ऑप्टिकल भागों की सतह पर धातु (या मध्यम) फिल्म के एक परत (या एकाधिक परतों) को कोटिंग की प्रक्रिया को संदर्भित करता है। ऑप्टिकल भागों की सतह को कोट करने का उद्देश्य प्रकाश प्रतिबिंब, बीम विभाजन, रंग अलगाव, प्रकाश फ़िल्टरिंग, ध्रुवीकरण और अन्य आवश्यकताओं को कम करने या बढ़ाने के लिए है। आम तौर पर प्रयुक्त कोटिंग विधियों में वैक्यूम कोटिंग (एक प्रकार का भौतिक कोटिंग) और रासायनिक कोटिंग शामिल हैं।


2. वैक्यूम कोटिंग एक पतली फिल्म बनाने के लिए चढ़ाया भाग (धातु, अर्धचालक या इन्सुलेटर) की सतह पर वाष्पीकरण और संवेदना के लिए उच्च वैक्यूम स्थितियों के तहत धातु बाई या गैर-धातु सामग्री को गर्म करने की एक विधि को संदर्भित करता है। उदाहरण के लिए, वैक्यूम एल्यूमीनियम चढ़ाना, वैक्यूम क्रोम चढ़ाना आदि।




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विधियों और सामग्रियों के बीच अंतर

1. ऑप्टिकल कोटिंग विधि सामग्री:


(1) मैग्नीशियम फ्लोराइड: उच्च शुद्धता के साथ रंगहीन टेट्रैगोनल क्रिस्टलीय पाउडर। ऑप्टिकल कोटिंग्स तैयार करने के लिए इसका उपयोग करने से अंक तोड़ने के बिना ट्रांसमिशन में वृद्धि हो सकती है।


(2) सिलिका: रंगहीन पारदर्शी क्रिस्टल, उच्च पिघलने बिंदु, उच्च कठोरता और अच्छी रासायनिक स्थिरता। शुद्धता उच्च है, और उच्च गुणवत्ता वाले SiO2 कोटिंग इसके साथ तैयार है, और वाष्पीकरण राज्य अच्छा है, और कोई पतन बिंदु नहीं है। उपयोग की आवश्यकताओं के अनुसार, इसे पराबैंगनी, अवरक्त और दृश्य प्रकाश में विभाजित किया जा सकता है।


(3) ज़िकोनिया: सफेद भारी क्रिस्टलीय राज्य, उच्च अपवर्तक सूचकांक और उच्च तापमान प्रतिरोध, स्थिर रासायनिक गुण, और उच्च शुद्धता के साथ। इसका उपयोग पतन के बिना उच्च गुणवत्ता वाले ज़िकोनिया कोटिंग तैयार करने के लिए किया जा सकता है।




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2. वैक्यूम कोटिंग विधि के लिए सामग्री:


(1) वैक्यूम वाष्पीकरण: लेपित होने के लिए सब्सट्रेट को साफ किया जाता है और कोटिंग कक्ष में रखा जाता है। निकासी के बाद, फिल्म सामग्री को उच्च तापमान तक गरम किया जाता है, ताकि वाष्प लगभग 13.3PA तक पहुंच जाए और वाष्प अणु सब्सट्रेट की सतह पर उड़ें और एक फिल्म में घनत्व पर जाएं।


(2) कैथोडिक स्पटरिंग चढ़ाना: सब्सट्रेट को कैथोड के विपरीत दिशा में लेपित करने के लिए रखें, निष्क्रिय कमरे में निष्क्रिय गैस (जैसे आर्गन) पास करें, लगभग 1.33 ~ 13.3 पीए का दबाव बनाए रखें, और फिर कैथोड को कनेक्ट करें एक 2000V डीसी बिजली की आपूर्ति। चमक का निर्वहन उत्साहित है, और सकारात्मक रूप से चार्ज किए गए आर्गन आयन परमाणुओं को बाहर निकालने के लिए कैथोड पर हमला करते हैं, और स्पटर्ड परमाणुओं को एक फिल्म बनाने के लिए एक निष्क्रिय वातावरण के माध्यम से सब्सट्रेट पर जमा किया जाता है।

(3) रासायनिक वाष्प जमावट: चयनित धातु यौगिकों या कार्बनिक यौगिकों को थर्मल रूप से विघटित करके एक जमा पतली फिल्म प्राप्त करने की प्रक्रिया।

(4) आयन चढ़ाना: संक्षेप में, वैक्यूम वाष्पीकरण और आयन चढ़ाना प्रणाली के स्पटरिंग के कार्बनिक संयोजन दोनों की तकनीकी विशेषताओं है।