Công nghệ laser trong sản xuất pin mặt trời

Hiện tại, pin mặt trời có thể được chia thành pin mặt trời silicon, pin mặt trời tinh thể nano, pin mặt trời hữu cơ, pin mặt trời màng mỏng đa hợp chất, pin mặt trời điện cực biến đổi đa lớp polyme, v.v. tùy thuộc vào vật liệu sử dụng.

Trong số đó, pin mặt trời silicon kết tinh là sản phẩm dẫn đầu thị trường quang điện. Trong quá trình sản xuất pin mặt trời silicon tinh thể, laser chủ yếu được sử dụng để cắt tấm wafer và cách nhiệt cạnh. Trong quy trình cách nhiệt mép bằng laser, quy trình pha tạp chất hỗ trợ bằng laser (doping) được sử dụng để ngăn chặn hiện tượng đoản mạch giữa mặt trước và mặt sau của pin và gây hao phí điện năng. Ngày càng có nhiều laser được sử dụng trong các quy trình doping có hỗ trợ của laser để cải thiện tính di động của sóng mang.

Độ dày của màng sử dụng trong pin mặt trời màng mỏng chỉ vài micromet nên tiết kiệm được nhiều nguyên liệu trong sản xuất. Trong quy trình sản xuất pin mặt trời màng mỏng, tia laser đóng vai trò quyết định. Trong suốt quá trình sản xuất, tia laser đã cấu trúc pin và kết nối nó thành một mô-đun, đồng thời thực hiện xử lý khắc tương ứng trên mô-đun để đảm bảo hiệu suất cách điện cần thiết. (Thấu kính quang học để khắc laser)

Công nghệ laser có triển vọng ứng dụng rộng rãi trong sản xuất pin mặt trời, và công nghệ xử lý chọn lọc, không tiếp xúc của nó ưu việt hơn các quy trình khác. (Thấu kính quang học cho tế bào tại chỗ) Khi áp lực chi phí phải đối mặt với việc sản xuất pin mặt trời tăng lên, các tia laser công suất cao, hiệu suất cao sẽ được sử dụng trong sản xuất hàng loạt. Việc áp dụng rộng rãi công nghệ laser xung siêu ngắn chắc chắn sẽ làm giảm chi phí sản xuất pin mặt trời.